polysilikon má šedý kovový lesk a hustotu 2,32~2,34 g/cm3. Teplota tání 1410℃. Bod varu 2355℃. Rozpustný ve směsi kyseliny fluorovodíkové a kyseliny dusičné, nerozpustný ve vodě, kyselině dusičné a kyselině chlorovodíkové. Jeho tvrdost je mezi tvrdostí germania a křemene. Při pokojové teplotě je křehký a při řezání se snadno láme. Při zahřátí nad 800 °C se stává tažným℃a vykazuje zjevnou deformaci při 1300℃. Při pokojové teplotě je neaktivní a za vysokých teplot reaguje s kyslíkem, dusíkem, sírou atd. Ve vysokoteplotním roztaveném stavu má velkou chemickou aktivitu a může reagovat s téměř jakýmkoliv materiálem. Má polovodičové vlastnosti a je extrémně důležitým a vynikajícím polovodičovým materiálem, ale stopová množství nečistot mohou značně ovlivnit jeho vodivost. Je široce používán v elektronickém průmyslu jako základní materiál pro výrobu polovodičových rádií, magnetofonů, ledniček, barevných televizorů, videorekordérů a elektronických počítačů. Získává se chlorací suchého křemíkového prášku a suchého plynného chlorovodíku za určitých podmínek a poté kondenzací, destilací a redukcí.
polysilicon může být použit jako surovina pro tažení monokrystalického křemíku. Rozdíl mezi polysilikonem a monokrystalickým křemíkem se projevuje především ve fyzikálních vlastnostech. Například anizotropie mechanických vlastností, optických vlastností a tepelných vlastností je mnohem méně zřejmá než u monokrystalu křemíku; pokud jde o elektrické vlastnosti, vodivost krystalů polysilikonu je také mnohem méně významná než vodivost monokrystalu křemíku a dokonce nemá téměř žádnou vodivost. Pokud jde o chemickou aktivitu, rozdíl mezi těmito dvěma je velmi malý. polysilikon a monokrystalický křemík lze od sebe odlišit vzhledem, ale skutečná identifikace musí být určena analýzou směru krystalové roviny, typu vodivosti a měrného odporu krystalu. polysilicon je přímou surovinou pro výrobu monokrystalového křemíku a je základním elektronickým informačním materiálem pro současná polovodičová zařízení, jako je umělá inteligence, automatické řízení, zpracování informací a fotoelektrická konverze.
Čas odeslání: 21. října 2024
